功耗降低40% 16Gb 1z nm DDR4正式量产

更多的科技展示，需求更强的芯片支撑，在芯片开发上，科技企业的竞赛从未中止过。

手机内置上，除了处理器的核算才能重要，存储功用相同重要。

现在存储芯片上， 咱们还有很长一段路要走。

日期，据TPU的报导，美光现已开端量产1z nm(12nm到14nm)的16Gb DDR4，该芯片密度更高，功耗也降低了40%。

据该媒体报导称，1z nm与前一代1Y工艺比较，在比特密度上会大大强于1Y，功用也略有提高，最首要是它的本钱比1Y更低。不仅如此，与前几代8Gb DDR4 RAM解决方案比较，1z nm还使功耗降低了40%。

现在，美光已宣告，公司现已开端批量出货业界容量最大的单片16Gb低功耗 LPDDR4X DRAM，而1z nm LPDDR4X和uMCP4终究量产入市，首要在于提高智能手机的存储功用。

众所周知，DRAM市场上三星也是雄霸一方的主，关于美光的此次动作，三星在上一年春季已宣告，将在本年下半年开端出产1z nm 8Gb DDR4模块，为下一代DDR5、LPDDR5和GDDR6内存产品的推出做准备。

芯片科技，竞赛更为剧烈。