美光的HBM2DRAM行将开端出货

在最新财报中，美光科技（Micron Technologies）宣告旗下第二代高带宽存储器（HBM2）行将开端出货。HBM2大多数都用在高功能显卡、服务器处理器以及各种高端处理器中，是相对贵重但商场紧需的解决方案。

第二代高带宽存储器（HBM2）指定了每堆8个裸晶及每针传输速度上至2 GT/s的规范。为坚持1024比特宽的拜访，第二代高带宽存储器得以在每个封装中到达256GB/s的内存带宽及上至8GB的内存。业界猜测第二代高带宽存储器对极端需求功能的应用程序，如虚拟现实，至关重要。

2016年1月19日，三星集团宣告进入大量生产第二代高带宽存储器的前期阶段，每堆具有高达8GB的内存。SK海力士一起宣告于2016年8月发布4GB版别的内存。而伴随着美光的行将出货，存储器商场将会再次构成三雄割据的局面。

此前，美光的开发重心都放在专有的混合存储多维数据集（HMC）DRAM类型上，不过这种类型的DRAM并没有取得太多客户的吸引力，因而一直没有太大的改动。仅运用了少量稀有产品，如2015年在富士通PRIMEHPC FX100超级计算机中运用的富士通SPARC64 XIfx CPU。

美光宣告将在2018年暂停HMC的作业，并决议致力于GDDR6和HBM的开发。因而他们将会在本年的某个时分发布搭载HBM2 DRAM的产品。