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三星正在开发第七代V-NAND闪存至少到达160层

时间:2020-04-20 19:49:28  阅读:3116+ 来源:腾讯科技 作者:责任编辑NO。姜敏0568

IT之家

4月20日音讯 依据外媒TechPowerUp的报导,三星电子正在开发其第7代V-NAND闪存,第一款产品将至少到达160层。

外媒表明,三星的160层的V-NAND产品或许会在长江贮存128层产品很多上市时推出,时刻大约是2020年末。

IT之家曾报导,4月13日,长江存储科技有限责任公司宣告其128层QLC 3D NAND 闪存(类型: X2-6070)研制成功,并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上经过验证。长江存储表明,X2-6070具有业界已知类型产品中最高单位面积存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量,具有1.6Gb/s高速读写功能和1.33Tb高容量。

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